近日，中微半导体设备（上海）有限公司发布了面向22纳米及以下芯片生产的第二代300毫米甚高频去耦合反应离子刻蚀设备 -- Primo AD-RIE™。产品将于3Q2011年付运。第一台 Primo AD-RIE 将进入亚洲一流芯片代工厂。
中微 Primo AD-RIE 应用了先进的射频系统保证了刻蚀过程的稳定性和可重复性，更好的调谐能力确保了超精细的关键尺寸均匀度，更优异的反应室内壁材料以降低缺失来提高产品良率；同时保证了芯片加工的质量，实现了35%到50%的资本效率增益，总体拥有成本降低20%至40%；更加紧凑的产品设计 -- 占地面积比同类最大设备小至少30%，这些都使得 Primo AD-RIE 成为当前半导体设备市场上最高产出率、最低生产成本的先进刻蚀设备。
Primo AD-RIE 在促进中微第一代刻蚀设备技术创新的同时，扩大了其自身的加工领域。其主要部分是一组创新的少量反应台反应器的簇架构，可以灵活地装置多达三个双反应台反应器，以达到最佳芯片加工输出量。每个反应器都可以实现单芯片或双芯片加工。独特的反应器腔体设计融合了中微专有的等离子体聚焦和喷淋头技术，确保了芯片加工的质量。
Primo AD-RIE 的一些基本特征使其更具备28纳米以下关键刻蚀加工的能力，这些基本特征包括：除了已有的60兆赫兹射频以外，2-13.5兆赫兹可切换射频使 Primo AD-RIE 加工范围更加广泛，独特的射频输入和对称分布改善了等离子密度的均匀分布，三区气体分布和双调谐气体提高了刻蚀的均匀度和调谐性，静电吸盘双区冷却装置提高了晶片温度的可调性并极大改善了晶圆片的刻蚀均匀度。
系统特点和优势：
1、去耦合反应离子刻蚀实现了离子浓度和离子能量的独立控制；
2、独特的甚高频射频输入和对称分布可在大批量生产环境中仍能确保实现重复性结果的精准控制；
3、具有自主知识产权的等离子体聚焦使刻蚀过程更为稳定可靠，有更宽泛的工艺窗口；
4、每个反应台独立的射频发生器、各反应台均匀度的分别控制和刻蚀终点控制，使每片晶圆可以在独立的反应环境中被刻蚀处理；
5、从底部供能的高频射频提供了稳定、低压、高密度度的等离子体，保持 low-k 材料的完整性；
6、具有自主知识产权的、具有快速、稳定、可靠的调谐能力的自隔离射频匹配装置；
7、反应腔内壁选用高纯度、耐等离子特殊材料，开发了最佳的材料加工过程，大大降低了损耗，将杂质微粒数降到最低；
8、电阻上电极直接加热处理的闭环控制为持续的芯片加工过程提供了精确、快速的温度控制；
9、双反应台反应器的簇架构，可配置多达六个单芯片加工反应台，即在较小的占地面积上获得很高的输出量；
10、模块化的系统架构使安装和维护操作更简便。
