三安光电子公司三安集成于日前宣布，已经完成碳化硅MOSFET器件量产平台的打造。
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三安集成方面介绍，本次推出的1200V 80mΩ 碳化硅MOSFET已完成研发并通过一系列产品性能和可靠性测试，其可广泛适用于光伏逆变器、开关电源、脉冲电源、高压DC/DC、新能源充电和电机驱动等应用领域，目前多家客户处于样品测试阶段。
与传统的硅基IGBT功率器件相比，宽禁带碳化硅材料拥有更高的耐压和耐热、更快的开关频率和更低的开关损耗的特性。在相同的功率下，碳化硅MOSFET自身器件损耗小，极大减小了器件的散热需求，使系统朝着小型化，轻量化，集成化的方向发展。
此外，三安集成的碳化硅MOSFET通过优化器件结构和布局，大大增强碳化硅体二极管的通流能力，不需要额外并联二极管，降低系统成本和减小系统体积。三安集成通过反复试验和优化栅氧条件，阈值电压的稳定性得到明显提高，1000hr的阈值漂移在0.2V以内。
据悉，三安集成碳化硅肖特基二极管于2018年上市后，已完成了从650V到1700V的产品线布局，并累计出货达百余万颗。从碳化硅肖特基二极管到MOSFET，三安集成在3年时间内便完成了碳化硅器件产品线布局。
值得关注的是，目前行业内碳化硅MOSFET不断传出缺货的声音，三安集成加速碳化硅器件产能扩张。今年7月计划总投资160亿元在长沙高新区开工建设占地1000亩的湖南三安碳化硅全产业链园区，目前项目一期工程建筑主体已拔地而起，计划将于2021年6月开始试产。（来源：三安集成）
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