近日，蓝光LED发明人、美国加州大学圣塔芭芭拉分校(UCSB)工程学院材料系中村修二（Shuji Nakamura）教授来访中科院上海微系统所并作了学术报告。
中村修二教授的报告题目名为“Recent Advances in Nonpolar and Semipolar GaN for Blue and Green Laser Diodes and LEDs”。报告中，中村修二教授介绍了近期其团队在基于非极化和半极化GaN的蓝/绿光激光二极管和LED方面的研究工作及成果。中村修二教授及其团队利用该技术制作出超高亮度激光二极管和LED，未来在高亮度照明、激光显示等应用上具有广阔前景。
