1mm2的小佔位面积升压开关可节省高达60%智能型手机设计的电路板空间
随着手机市场的持续发展，以及智能型手机的使用率和市场增长不断上升，设计人员面临着在整体设计中增加功能性，但同时需要缩小外形尺寸和组件数目的挑战。快捷半导体 (NYSE: FCS) 开发出结合N沟道MOSFET和肖特基二极管的器件FDZ3N513ZT，佔位面积仅为1mm x 1mm，以满足客户需求和发展趋势。
FDZ3N513ZT是升压转换器中的主要组件，用以驱动串联白光LED，为智能型手机的显示屏幕 (以及按键，如果有键盘的话) 提供照明。
该解决方案仔细且准确地将各种动态特性优化，能显着地降低开关损耗，从而大幅地提高手机应用的转换效率，以及延长电池使用时间。
FDZ3N513ZT结合了一个30V 整合式 N沟道MOSFET 和一个肖特基二极管，具有极低的输入电容 (典型值45pF) 和整体闸极电荷(1nC)，以提高昇压转换器设计的效率。
FDZ3N513ZT采用1mm x 1 mm WL-CSP封装，与采用1.6mm x 1.6mm封装的器件相比，可节省60% 的电路板佔位空间。
快捷半导体是可携式技术领域的领导厂商，拥有大量可针对特定要求而客制化的模拟与功率IP产品组合。FDZ3N513ZT 是快捷半导体全面的先进MOSFET系列的一部分，能够满足业界在充电、负载开关、DC-DC和升压应用方面对紧凑、扁平的高性能MOSFET之需求。
价格:订购1,000个，单价为0.75美元
供货：现已提供样品
交货期：收到订单后12周
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