4月18日，芯元基半导体宣布，公司最新研制的弱化结构Micro LED芯片获得韩国客户小批量采购订单。
图片来源：芯元基半导体
据介绍，该弱化结构采用浸泡水的方式实现薄膜Micro LED芯片与临时基板分离，客户在胶水解粘的过程中，可以长时间地浸泡水，芯片位置却不会发生移动，工艺窗口宽，产品可用于印章转移等巨量转移工艺开发。
采用化学剥离GaN芯片技术，不仅可以实现GaN材料的无损剥离，而且可以实现将薄膜LED芯片高良率的任意转移到客户需要的客制化临时基板上，更有利于客户加速产业化技术路径开发。
芯元基半导体称，公司已经完成了多种规格的Micro LED产品协助客户开发巨量转移工艺，已有多家海外客户咨询并采购。
资料显示，芯元基半导体成立于2014年，是一家基于第三代半导体氮化镓（GaN）材料自主研发、设计、生产蓝宝石基GaN高端薄膜结构芯片、Mini/Micro LED芯片的公司。
芯元基半导体拥有全球首创的以复合图形化衬底（DPSS）和化学剥离为核心的技术体系，并拥有完整自主知识产权。目前已获中微半导体、上海创徒、张江科投、张江高科、浦东科创、上海自贸区基金等逾亿元投资。
近年来，芯元基半导体大力发展Micro LED，取得不少突破。
目前，芯元基半导体已成功点亮5μm Micro LED 芯片阵列全屏、研发出16*27微米直显用薄膜倒装Micro LED芯片、实现0.41 inch 单色Micro LED微显示屏视频显示、点亮InGaN基红光适合微显示的pitch 8微米Micro LED芯片阵列。
项目方面，2020年11月，芯元基半导体第三代半导体氮化镓项目正式签约安徽池州高新区，投资总额6亿元，分两期建设。一期投资2亿元，包括GaN基DPSS衬底生产线和UVA365nm芯片生产线等；二期投资4亿元，建设行政、生产一体化厂房及配套设施。
客户合作方面，去年7月，芯元基半导体宣布与多家显示行业头部厂家达成合作开发协议，公司的Chip on Carrier产品和Chip on Stamp产品已经通过客户的研发样品测试，并取得头部厂家的相关采购订单。（LEDinside Mia整理）
