10月18日，美国Micro LED基芯片到芯片光学互连技术开发商Avicena宣布，已完成收购美国量子点发光材料和技术供应商Nanosys的GaN基Micro LED制造工厂及相关的工程团队。
据了解，该Micro LED工厂此前的所有者是瑞典Micro LED显示技术商glō，该公司在开发Micro LED显示器方面投资了超2亿美金，其中很大一部分资金用于扩大Micro LED制造力，涵盖Micro LED外延、器件及转移等技术。彼时，其在Micro LED领域的合作伙伴包括京瓷（Kyocera）、JDI等日系厂商。
然而，2021年5月，Nanosys宣布收购glō。Nanosys位于美国硅谷，拥有全球最大的量子点纳米材料工厂，收购glō之后，Nanosys的知识产权组合和技术产品组合显著扩大，基于此，Nanosys旨在推动Micro LED和纳米LED显示技术在未来显示器上的应用进程。
而Avicena致力于开发基于Micro LED的超低能量光链路技术LightBundle™，今年8月，Avicena刚完成2500万美元的融资，投资方包括三星催化基金、美光创投、Cerberus资本管理公司、Clear创投。
据介绍，LightBundle™链路技术基于GaN基Micro LED阵列，可集成在所有高性能的CMOS 集成电路上，具备高带宽密度和能源效率，应用场景涵盖高性能计算系统（HPC）、人工智能（AI）/机器学习（ML）和分离式内存芯片间的互连、传感器、5G无线及航空航天等下一代链路领域。目前，Avicena正在联合Lumileds提高Micro LED阵列的产量。
本次交易之前，Avicena便已使用Nanosys的工厂开发独有的Micro LED光学互连产品，现阶段，Avicena正在积极为平行 multi-Tbps（多兆比特每秒）连接器产品开发经优化的高速GaN基Micro LED，而此番收购Nanosys的Micro LED工厂及相关工程团队，Avicena将显著强化其研发和生产这类高性能Micro LED的能力。
具体来看，Avicena此前展示了其LightBundle™链路（功耗低于1pJ/bit）及独立的Micro LED链路（速度14Gbps NRZ），收购Nanosys的Micro LED工厂后，Avicena将在现有成果的基础上，进一步提升Micro LED外延、器件生产工艺及转移技术，实现更高的每通道数据传输率。Avicena表示，集成数百条链路的小巧、低成本连接器能够支持每秒很多太比特的总带宽，有助于解决先进硅集成电路的数据瓶颈问题。
Avicena称，本次收购的资产覆盖Micro LED外延技术、晶圆处理技术、剥离及转移设备、带光接口的硅集成电路后处理技术。Avicena计划联合内部的ASIC团队，开发高容量、极低功耗的光学芯片。Avicena认为，相比基于激光或硅光子的连接器，Micro LED光学连接器更适合与硅集成电路集成，且具备低功耗、低成本等优点。（文：LEDinside Janice）
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