沙乌地阿拉伯阿布杜拉国王科技大学（King Abdullah University of Science and Technology，KAUST）与老国王科技城（King Abdulaziz City for Science and Technology，KACST）的研究人员提出了一种新颖的方法，能够填补在基于多荧光粉的白光LED应用中常见因转换效率不佳造成的“绿黄色差”（green-yellow gap）。
采用两温度步骤生长方法的元件结构SEM图 （在纳米线中嵌入的Qdisks 电子显微镜图）
在发布于《ACS Photonics》期刊中的研究论文——“ True Yellow Light-Emitting Diodes as Phosphor for Tunable Color-Rendering Index Laser-Based White Light”中，描述一种以588nm发射的纳米线LED（NW LED），能够在相容于CMOS制程的低成本钛（Ti）薄膜/矽（Si）基板平台上生长。其紧密的纳米线层可生长达到9x109 cm2的表面密度，填充因子为88%。
元件结构显示并排生长的多纳米线
每个纳米线p-i-n LED结构嵌入一个5层3nm厚的InGaN量子碟（Qdisk）堆叠而成的主动区域，各层之间并以10nm量子阻障层区隔开来。
在单独操作黄光纳米线LED时，研究人员们在29.5 A/cm2（在0.5x0.5mm2元件上约75mA）观察到588nm的峰值发射以及约2.5V的低导通电压，内部量子效率约39%，而且在达到29.5A/cm2的注入密度以前，并不至于出现“效率降低”的情形。
