科锐公司（Nasdaq: CREE）宣布推出具有革新性功率与频宽性能的全新Ku波段40V、0.25微米碳化矽衬底氮化镓基（GaN-on-SiC）裸芯片产品系列。该创新型产品系列能够使得固态放大器替代行波管，从而提高效率和可靠性。
科锐无线射频销售与市场总监 Tom Dekker 表示：“与同频率范围的 GaAs 电晶体相比，科锐0.25微米GaN HEMT裸芯片产品系列拥有更显著的增益、效率以及功率密度。更高的增益能够实现更高效率的综合功率方案，从而提升固态功率放大器在 C 波段、X 波段以及 Ku 波段的性能。”
主要的市场应用包括航海雷达、医疗成像、工业及卫星通信等领域。与 GaAs 电晶体相比，固态放大器具有更高的可靠性、更低的成本以及更卓越的效率，并且能够缩小功率放大器和电源的体积。GaN HEMT 功率放大器的高效率能够有效地降低发射机的功率消耗。
科锐无线射频业务发展经理 Ray Pengelly 表示：“科锐0.25微米GaN HEMT产品拥有突破性的性能，效率和频宽的显著提高实现了GaAs电晶体所不能达到的电晶体性能水准。例如，开关模式的高功率放大器（HPA）能够在微波频率段提供超过80%的功率附加效率。在功率超过10W时，GaN HEMT HPA 的暂态频宽可达6至18GHz。0.25微米 GaN 产品所提供的卓越性能使得系统工程师能够重新设计 GaAs 电晶体和行波管。”
