日前，中山大学光电材料国家重点实验室的研究人员表示，其采用四层矽delta掺杂的GaN作为n型复层，显著提高了氮化物LED的抗静电能力，此改善是因外延GaN材料晶体质量的改善和器件电流扩充的提高引起。
Delta掺杂技术是在维持氨气流量不变的情况下，通过选择性打开或者关闭三甲基镓和硅烷来实现。采用delta掺杂技术后，LED器件的ESD值从1200伏提高到4000伏以上，而且电功率也明显增大，350mA工作电流下，输出功率提高了12.8%。
同时，delta掺杂层有效降低了GaN材料中的位错密度，使位错密度从7x107/cm2降低到了3x106/cm2，位错密度的降低使LED反向漏电降低一个数量级，因而增强抗静电能力。
此外，通过红外显微镜对LED热性能的测试，发现delta掺杂后的LED具有更均匀的电流扩散，因此降低了器件的电流密度，因而提高了抗静电能力。
