世创电子材料公司Siltronic AG日前宣布，公司与比利时微电子研究机构IMEC达成协议，双方合作属于IMEC氮化镓工业联盟计划（IIAP）中的一部分，主要是为下一代LED以及功率半导体原件提供能够在200 mm的硅晶片上生长的GaN层。
GaN是一种非常有前途的材料，它具有优良的电子移动性、高的击穿电压和良好的导热性，适合应用于光电学以及制造功率半导体原件，比如风力涡轮机、太阳能发电系统、电动汽车和节能型厨房器具等。不过，为实现在大尺寸硅晶片上生长GaN/(Al)GaN外延层，GaN技术还需进一步完善，并需寻求廉价而高效的生产方法。
目前，除Siltronic公司外，还有其它很多参与者加入到了这个跨国研究平台中，如集成设备商、铸造厂、硅化合物以及硅基底材料生产商。
