松下开发出将Si基板上氮化鎵(GaN)晶体管的耐压提高至5倍以上的技术

松下半导体(Panasonic Semiconductor)开发出了可将硅(Si)基板上形成的氮化鎵(GaN)功率晶体管的耐压提高至5倍以上的技术,有望实现3000V以上的耐压。

松下半导体解明了GaN功率晶体管的耐压只取决于GaN膜耐压的原因,并对该问题产生的原因——流过硅基板和GaN表面的洩漏电流进行了抑制,从而提高了GaN功率晶体管的耐压。使GaN膜厚度达到1.9μm,耐压达到2200V,提高至原来的5倍以上。

此外,松下半导体表示,如果使用过去曾报告过的9μm的GaN膜厚度,将有可能实现3940V的耐压。

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