据日经BP社报导，韩国三星SDI开发出了采用氧化物半导体IGZO（In-Ga-Zn-O）材料的TFT12.1英吋有机EL面板，并在「SID 2008」上公佈了技术细节。该面板在玻璃底板上形成了采用氧化物半导体的有源矩阵型TFT阵列和有机EL元件。
此次开发的有机EL面板的图元为1280×768图元（WXGA），解析度为123ppi。亮度为300cd/m2，对比度为2万：1。采用底部发光结构，光从TFT底板侧取得。有机EL材料采用的是低分子材料。但红色用磷光材料，绿色和蓝色采用萤光材料。
TFT的掩膜数量为7片。图元间距为69μm×207μm，图元电路由2个TFT和1个电容器构成。采用底栅结构，栅极、源极及漏极的电极材料采用Mo，栅极绝缘膜采用SiOx/SiNx，并使用了现有的光刻制造技术。IGZO TFT的迁移率为17.2cm2s，开关比为108以上，亚閾值斜率（S值）为0.28V/decade。
三星SDI指出，采用IGZO的TFT其优势在于可以着手量产大尺寸玻璃底板。使用此次的TFT制作方法，甚至可以支援第8代底板。
