在LED户外看板、交通号志及LCD背光应用持续扩大下，高功率LED需求也水涨船高，晶电在2007年是臺湾唯一蓝光芯片亮度可达1,700mcd小量 产出的厂商，据指出，在技术提升及良率提高下，110 lm/W蓝光LED在2008年将从实验室研发正式迈入量产阶段，依照下游封装厂技术不同，亮度将达1,800mcd~2,000mcd之间，可望应用在 高阶NB背光或户外看板应用。
高功率LED受到封装过程复杂及材料消耗较大，使得高功率LED单颗成本较高，不过当高功率LED的发光效率不断提高，可提供业者降低LED每一流明的购 买成本，并降低LED颗数使用量，根据业者研发规划，电流20mA的白光LED在2015年约可达到175 lm/W以上，到了2020年将可达到200 lm/W。
日本LED大厂日亚化在2006年12月发表白光LED发光效率，芯片14mil、电流20mA的小尺寸LED已达到150lm/W，而晶电也在2007 年7月达到110 lm/W，但在良率及厂商认证问题下，尚未正式迈入量产阶段，但据指出，晶电在2008年已可顺利提升良率问题，在封装后将可达到 1,800mcd~2,000mcd的亮度水准。
由于高阶NB背光在亮度规格要求较高，为了达到高画质、高对比与高亮度，LED芯片亮度必须在1,800mcd以上，晶电原本是臺湾唯一蓝光芯片亮度可达 1,700mcd量产的业者，在技术上领先臺湾其他上游芯片厂，在晶电正式进入亮度达1,800mcd以上的量产阶段后，将可争取高毛利率的高亮度LED 芯片市场。
在芯片1mm、电流350mA的大尺寸蓝光LED部分，在照明应用起飞的带动下，晶电在2007年7月的发光效率为75 lm/W，由于过去较专注于小尺寸LED的技术研发，因此相较于Lumileds达到115 lm/W的水准仍有一段距离，晶电表示，2008年将努力朝向大尺寸技术的发展，预计2008年发光效率将可达到85 lm/W。
