天眼查显示，近日，乾照光电取得多项LED芯片相关专利，其中包括“一种垂直结构LED芯片”、“一种LED芯片及其制备方法”、“一种LED芯片及其制作方法”、“一种深紫外垂直结构LED芯片及其制作方法”。
其中，“一种垂直结构LED芯片”专利申请日为2023年4月27日，专利授权日为2023年11月28日，专利申请号为CN202320990535.2，授权公告号为CN220106568U。
专利摘要显示，本实用新型提供了一种垂直结构LED芯片，在所述外延叠层表面通过介质层+金属反射层的配合形成了ODR全方向反射镜，使光线被反射后从LED芯片的上表面取出，有效地提升了芯片整体反射率、增加了光提取效率。
同时，通过嵌入所述集成金属层，在制作集成金属层的过程中采用含Au金属材料，并通过蚀刻的方式裸露出集成金属层中的部分表面，该裸露部分承担PAD功能，可以实现与外部的电连接。
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“一种LED芯片及其制备方法”专利申请日为2023年9月28日，专利授权日为2023年11月24日，专利申请号为CN202311267678.1，授权公告号为CN117117055A。
专利摘要显示，本发明提供了一种LED芯片及其制备方法，通过在所述第一电极和第二电极的侧壁分别设有金属粘附层，且所述金属粘附层与所述钝化层之间的粘附力大于所述电极与所述钝化层之间的粘附力。
基于此结构，可利用第一电极/第二电极表面与钝化层材料直接接触时粘附性差的特点，通过蓝膜对芯片表面进行撕膜，使所述第一电极、第二电极表面的钝化层随着蓝膜脱落，从而形成分别裸露所述第一电极和第二电极的至少部分表面的钝化层图形。
如此，在保证电极被钝化层覆盖以解决金属逆压迁移问题的同时，通过撕膜即可形成钝化层图形，减少光刻次数，简化工艺，降低成本。
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“一种LED芯片及其制作方法”专利申请日为2023年7月31日，专利授权日为2023年11月7日，专利申请号为CN202310946636.4，授权公告号为CN117012875A。
专利摘要显示，本发明提供了一种LED芯片及其制作方法，通过：在所述导电基板的表面依次设置导电型键合层、金属反射层、介质层、第二欧姆接触层以及外延叠层；其中，所述介质层具有若干个通孔，且在所述通孔内设有第一欧姆接触层；所述第二欧姆接触层与所述第一欧姆接触层形成接触。
从而，在所述外延叠层表面通过介质层+金属反射层的配合形成了ODR全方向反射镜，使光线被反射后从LED芯片的上表面取出，有效地提升了芯片整体反射率、增加了光提取效率；同时，通过所述第一欧姆接触层、第二欧姆接触层和通孔的配合接触，在保证金属反射层与外延叠层的半导体材料接触的同时，可横向阻挡所述金属反射层和电极的金属扩散。
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“一种深紫外垂直结构LED芯片及其制作方法”专利申请日为2023年6月25日，专利授权日为2023年11月3日，专利申请号为CN202310749068.9，授权公告号为CN116995149A。
专利摘要显示，本发明提供一种深紫外垂直结构LED芯片及其制作方法，通过蚀刻工艺在外延叠层形成凹槽，凹槽裸露N型AlGaN层的部分表面后，在凹槽的底面先制作N型欧姆接触层，并对N型欧姆接触层高温退火使N型AlGaN层和N型欧姆接触层合金化，形成较低的接触势垒，在完成N型欧姆接触后再进行P型金属层和其它芯片工艺的制作，这样可以避免N型欧姆接触层高温退火对深紫外垂直LED芯片其它流程产生负面影响，进而提升深紫外垂直结构LED芯片的可靠性。
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